CVD技术

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TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用
《半导体技术》2011年第6期439-442,共4页胡玲 杨霏 商庆杰 潘宏菽 
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,...
关键词：低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅 
论顋CVD技术
《半导体技术》1990年第2期45-48,共4页刘兆云 
一、发展概况 1974年莫托洛拉公司引进LPCVD用于半导体工业,尔后又引进了LTO系统及等离子增强CVD技术,CVD技术得到了惊人的发展。据统计在1980年世界销售的化学气相淀积(CVD)设备已达一亿美元,超过了当年扩散炉的销售额。 关于PCVD(Piam...
关键词：PCVD技术 半导体 沉积薄膜 
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