DDR系统

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创意电子发布28nm DDR3—2133/LPDDR2复合式IP
《集成电路应用》2013年第1期42-42,共1页
创意电子日前推出28nm DDR3—2133/LPDDR2组合PHY与控制器IP。全新的复合式IP使用台积电28nmHPM制程,提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。
关键词:DDR3 复合式 电子 创意 DDR系统 控制器 PHY 台积电 
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