DTMOS

作品数：9被引量：11H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：海潮和毕津顺韩郑生黄如陈国良更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所北京大学国防科学技术大学重庆邮电大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《电子器件》《科技广场》更多>>
相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
《半导体技术》2010年第9期868-870,共3页毕津顺 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究资助项目(2006CB302701)
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 动态阈值晶体管 体电阻 体电容 延迟 
SOI DTMOS温度特性研究
《半导体技术》2010年第7期661-663,共3页毕津顺 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究子课题(2006CB302701)
对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压...
关键词：绝缘体上硅 动态阈值晶体管 温度特性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部