DTMOS

作品数：9被引量：11H指数：2
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相关机构：中国科学院微电子研究所北京大学国防科学技术大学重庆邮电大学更多>>
相关期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《电子器件》《科技广场》更多>>
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VLSI器件按比例缩小的发展趋势及挑战被引量：1
《科技广场》2017年第4期103-107,共5页徐光 
随着微电子技术的不断进步,集成电路进入超大规模集成电路(VLSI)时代,半导体器件的尺寸则达到了深亚微米量级,并且器件的尺寸还在进一步缩小。在器件缩小的过程中,出现了一些制约因素限制了器件的进一步发展,例如阈值电压减小的限制、...
关键词：阈值电压 互连线RC延迟 EJ-DTMOS 
An ultra-low-voltage rectifier for PE energy harvesting applications被引量：2
《Journal of Semiconductors》2016年第2期126-130,共5页王静敏 杨正 朱樟明 杨银堂 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61234002,61322405,61306044,61376033);the National High-Tech Program of China(No.2013AA014103)
An ultra low voltage rectifier with high power conversion efficiency （PCE） for PE energy harvesting ap- plications is presented in this paper. This is achieved by utilizing the DTMOS which the body terminal is conne...
关键词：PE energy harvesting DTMOS input powered active rectifier 
PDSOI DTMOS for analog and RF application
《Journal of Semiconductors》2011年第5期52-56,共5页王一奇 刘梦新 毕津顺 韩郑生 
Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB3027-01).
Based on the platform of 0.35μm PDSOI CMOS process technology, the partially depleted siliconon-insulator dynamic threshold voltage （PDSOI DT） NMOS with an H-gate was implemented. The analog characteristics and RF ...
关键词：SILICON-ON-INSULATOR dynamic threshold voltage analog and RF characteristics 
130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
《半导体技术》2010年第9期868-870,共3页毕津顺 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究资助项目(2006CB302701)
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 动态阈值晶体管 体电阻 体电容 延迟 
SOI DTMOS温度特性研究
《半导体技术》2010年第7期661-663,共3页毕津顺 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究子课题(2006CB302701)
对比研究了20μm/0.35μm的SOI（绝缘体上硅）普通MOS和DTMOS（动态阈值MOS）的温度特性。从20-125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%。SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压...
关键词：绝缘体上硅 动态阈值晶体管 温度特性 
Study on the Characteristics of SOI DTMOS with Reverse Schottky Barriers
《Journal of Semiconductors》2006年第9期1526-1530,共5页毕津顺 海潮和 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2006CB3027-01)~~
Silicon-on-insulator dynamic threshold voltage MOSFETs with TiSi2/pSi as reverse Schottky barriers （RSB） are presented. With this RSB scheme,DTMOS can operate beyond 0.7V, thus overcoming the drawback of DTMOS with ...
关键词：SOI dynamic threshold Schottky barrier 
SOI动态阈值MOS研究进展被引量：7
《电子器件》2005年第3期551-555,558,共6页毕津顺 海潮和 韩郑生 
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS...
关键词：SOI 低压低功耗 DTMOS 超大规模集成电路 
50nmSOI-DTMOS器件的性能被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1072-1077,共6页陈国良 黄如 
国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4);国家重点基础研究专项经费 (编号 :2 0 0 0 0 36 5 0 1)资助项目~~
利用二维器件模拟软件ISE对 5 0nm沟道长度下SOI DTMOS器件性能进行了研究 ,并与常规结构的SOI器件作了比较 .结果表明 ,在 5 0nm沟长下 ,SOI DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件 .SOI DTMOS器件具有更好的亚阈值特性 ,其亚阈值泄漏电流...
关键词：50nm SOI-DTMOS器件 模拟 
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