DTMOS

作品数：9被引量：11H指数：2
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SOI动态阈值MOS研究进展被引量：7
《电子器件》2005年第3期551-555,558,共6页毕津顺 海潮和 韩郑生 
随着器件尺寸的不断缩小,传统MOS器件遇到工作电压和阈值电压难以等比例缩小的难题,以至于降低电路性能,而工作在低压低功耗领域的SOIDTMOS可以有效地解决这个问题。本文介绍了四种类型的SOIDTMOS器件,其中着重论述了栅体直接连接DTMOS...
关键词：SOI 低压低功耗 DTMOS 超大规模集成电路 
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