云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FD-SOI

FD-SOI: 作品数：44被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>; 相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国科学：信息科学》《新电脑》《今日电子》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金更多>>

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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型被引量：1: 《物理学报》2011年第5期784-788,共5页秦珊珊张鹤鸣胡辉勇屈江涛王冠宇肖庆舒钰; 国家部委预研基金(批准号:51308040203;9140A08060407DZ0103;6139801)资助的课题~~; 本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建...; 关键词：应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势亚阈电流