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期刊=Circuits and Systems

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28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part II: 《Circuits and Systems》2017年第5期111-121,共11页Ali Mohsen Adnan Harb Nathalie Deltimple Abraham Serhane; This is Part II of a two-part paper that explores the 28-nm UTBB FD-SOI CMOS and the 22-nm Tri-Gate FinFET technology as the better alternatives to bulk transistors especially when the transistor’s architecture is go...; 关键词：UTBB FD-SOI: Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted Silicon on Insulator Tri-Gate FINFET DIBL: Drain Induced Barrier Lowering

28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part I: 《Circuits and Systems》2017年第4期93-110,共18页Ali Mohsen Adnan Harb Nathalie Deltimple Abraham Serhane; Nowadays, transistor technology is going toward the fully depleted architecture;the bulk transistors are becoming more complex in manufacturing as the transistor size is becoming smaller to achieve the high performanc...; 关键词：UTBB FD-SOI: Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted Silicon on Insulator Tri-Gate FINFET DIBL: Drain Induced Barrier Lowering

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