GAN外延层

作品数：27被引量：34H指数：3
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相关作者：陆大成陈振刘祥林王晓晖汪度更多>>
相关机构：中国科学院河北工业大学太原理工大学西安电子科技大学更多>>
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Si基GaN紫外光探测器被引量：1
《高技术通讯》2000年第11期16-18,共3页席冬娟 江若琏 陈鹏 赵作明 罗志云 沈波 张荣 郑有炓 
863计划;国家自然科学基金!(6 99870 0 1;6 96 36 0 10 ;6 980 6 0 0 6 )资助项目
报道了以Si( 111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质。探测器的光谱响应表明 ,这种GaN探测器在紫外波段 2 50～ 360nm有近于平坦的光电流响应 ,363nm附近有陡峭的截止边。在 357nm波长处 ,测得 5V偏压下的响应度高达 6.9...
关键词：紫外光导探测器 GAN外延层 响应度 SI基 
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