GAN异质结构

作品数：10被引量：25H指数：2
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>
相关机构：北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《半导体技术》《核技术》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变被引量：1
《核技术》2002年第10期799-804,共6页谭伟石 沙昊 沈波 蔡宏灵 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 姜晓明 
国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 (6 0 136 0 2 0;6 9976 0 14等 );国家高科技 (86 3)发展计划资助
用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,...
关键词：调制掺杂 微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 驰豫线模型 半导体材料 氮化镓 铝 
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