GIDL

作品数：16被引量：12H指数：2
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一种新型降低GIDL的纳米线环栅场效应晶体管
《微电子学》2020年第6期894-898,共5页唐雅欣 孙亚宾 李小进 石艳玲 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);国家自然科学基金资助项目(61574056,61704056);上海扬帆计划资助项目(YF1404700);上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800)。
提出了一种可以有效降低环栅晶体管栅致漏极泄漏(GIDL)的新型非对称沟道介质环场效应环栅(GAA)晶体管。位于漏端附近的沟道介质环结构可有效降低载流子沿沟道方向的带间隧穿几率,从而显著改善环栅器件在关态时的栅致漏极泄漏电流情况。3...
关键词：沟道介质环 栅致漏极泄漏电流 纵向带间隧穿 环栅晶体管 
LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化
《微电子学》2020年第5期738-742,共5页闫翼辰 蔡小五 魏兰英 蔡巧明 曹杨 杜林 
国家重点研究发展计划项目(2016YFB0901804)。
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工...
关键词：HCI-GIDL效应 NMOS器件 LDD注入 
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