HGCDTE晶体

作品数：18被引量：26H指数：2
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相关机构：昆明物理研究所中国科学院长春光学精密机械与物理研究所西北工业大学中国科学院更多>>
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加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第4期440-445,共6页王跃 李全保 韩庆林 马庆华 宋炳文 介万奇 周尧和 
国防科工委资助&&
根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生...
关键词：加压布里奇曼法 HGCDTE晶体 晶体生长 红外半导体材料 
剩余杂质对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体光吸收的影响
《Journal of Semiconductors》1990年第12期950-953,共4页王珏 陆卫 刘激鸣 俞振中 汤定元 
国家自然科学基金
研究了Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体经吸除工艺处理前后的透射光谱,发现样品经吸除处理后的光吸收发生明显变化,分析认为因吸除工艺降低了样品内的剩余杂质含量,从而减少了杂质参与的光吸收,利用受主“掺杂”实验进一步验证了上述解释。
关键词：剩余杂质 HGCDTE晶体 光吸收 
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