IEDM

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2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术
《半导体信息》2011年第5期2-3,共2页江兴 
即将于今年12月5～7日举行的本届IEEE IEDM(国际电子器件大会)中,将有来自三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录。英特尔的团队将揭示带30 nm栅极的三栅极(tri-gate)
关键词：化合物半导体 IEEE IEDM 功率元件 量子阱 技术副总裁 英飞凌 功率半导体 击穿电压 飞兆半导体 寄生电阻 
IEDM发布新型内存解决方案
《半导体信息》2009年第6期8-,共1页韩潇 
IEDM是介绍微电子学、纳米电子学、生物电子学领域器件研究的会议。美国东海岸地区创新成果显著,本年度的会议将在巴尔的摩举办。届时,来自世界各地的企业,大学和国家实验室的研究者们将会发布215篇论文报告。
关键词：内存芯片 器件 气相化学反应 IEDM 光刻工艺 掩膜 
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