INGAAS-GAAS

作品数:6被引量:2H指数:1
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InGaAs-GaAs脊波导DBR激光器双模运行特性研究
《光电子.激光》2007年第11期1310-1313,共4页方达伟 徐贲 张艺 李晨霞 李波 梁永峰 
浙江省自然科学基金资助项目(602082);浙江省"151"人才工程重点资助项目
对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射(Ⅸ泯)半导体激光器双模运行特性进行了研究。该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成,两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅,中间加入50~100μm的分隔区,以减小两DBR区间的热作用影响。实...
关键词:分布式Bragg反射(DBR) InGaAs-GaAs脊波导半导体激光器 双模运行特性 
两次MOVPE生长的大功率InGaAs-GaAs-InGaP掩埋异质结应变量子阱激光器
《半导体情报》1994年第5期39-41,共3页武占春 
本文给出了带有In0.49Ga0.51i包层的InGaAs-GaAs应变量子阱激光器实验结果。镀有AR-HR膜、并有p-nInGaP电流阻挡结的掩埋异质结激光器,在连续波(CW)和室温(RT)下,给出3.1mA的低阈...
关键词:异质结 应变量子阱 量子阱 激光器 MOVPE生长 
InGaAs-GaAs 短周期应变层超晶格调制反射光谱中的 Franz-Keldysh 振荡
《Journal of Semiconductors》1994年第2期83-88,T001,共6页刘伟 江德生 王若桢 周钧铭 王凤莲 
本文在P-i-n结构的InGaAs-GaAs应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Franz-Keldysh振荡,通过对Franz-Keldysh振荡的分析,推算出超晶格区内建电场大小;讨论了...
关键词:INGAAS GaAs 反射光谱 F-K振荡 
980nm单模InGaAs—GaAs激光二极管
《光纤通信技术》1992年第6期39-41,共3页李恩平 李植棠 
关键词:激光二极管 INGAAS-GAAS 二极管 
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
《Journal of Semiconductors》1992年第4期258-262,共5页肖建伟 徐俊英 杨国文 徐遵图 张敬明 陈良惠 周小川 蒋健 钟战天 
采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈...
关键词:半导体 激光器 应变层 量子阱结构 
应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究被引量:2
《Journal of Semiconductors》1990年第4期270-278,共9页方晓明 沈学础 侯宏启 冯巍 周钧铭 
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观...
关键词:INGAAS-GAAS 量子阱 光电谱 应变层 
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