INGAAS/GAAS量子阱

作品数：13被引量：27H指数：4
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1064nm应变量子阱的理论设计被引量：1
《江西通信科技》2009年第3期45-48,共4页赵段力 廖柯 吕坤颐 
根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
关键词：INGAAS/GAAS量子阱 量子尺寸效应 应变效应 
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