云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAP/GAAS

INGAP/GAAS: 作品数：44被引量：35H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：吴德馨刘新宇齐鸣徐安怀郑丽萍更多>>; 相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所广东工业大学杭州电子科技大学更多>>; 相关期刊：《湖北大学学报（自然科学版）》《电子技术应用》《电子设计应用》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>

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倒置的InGaP/GaAs HBT与常规的InGaP/GaAs HBT器件性能比较分析: 《集成电路应用》2016年第11期25-27,共3页顾磊熊德平周守利彭银生; 国家自然科学基金资助项目(61205121);广东省科技计划资助项目(2015B010112002);广州市科技计划资助项目(2016201604030035); 基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。; 关键词：INGAP/GAAS 倒置HBT 直流特性高频特性