IPD

作品数：499被引量：1116H指数：16
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0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器被引量：1
《半导体技术》2024年第3期252-256,共5页张晓帆 银军 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确...
关键词：GaN高电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(IPD) 超宽带 传输线变压器(TLT) 
基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器被引量：2
《半导体技术》2023年第6期488-492,共5页黄旭 银军 余若祺 斛彦生 倪涛 许春良 
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大...
关键词：GAN 内匹配 宽带 大功率 GaAs集成无源元件(IPD) 
基于IPD工艺的滤波器设计被引量：2
《半导体技术》2022年第4期313-319,共7页李鹏浩 吴蓉 马骁 杨新豪 陈思婷 邱昕 郭瑞 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61905102);国家电网科学技术项目(SGTYHT/20-JS-221)。
采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器。利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化。低通滤波器芯片尺寸为0.65 mm×1 mm×0.1...
关键词：集成无源器件(IPD) 高通滤波器 低通滤波器 电感 谐振 
基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计被引量：3
《半导体技术》2018年第5期347-352,共6页方芝清 唐高弟 吕立明 曾荣 李智鹏 
将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装（SIP）的小型化面临的首要问题之一。基于硅基集成无源器件（IPD）技术,借鉴经典的级联四角元件（CQ）滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构。利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,...
关键词：带通滤波器 集成无源器件(IPD) 系统级封装(SIP) 频变耦合 互感电感结构 
基于集成无源器件工艺的射频功率分配器设计被引量：2
《半导体技术》2016年第5期371-377,共7页隆万洪 黄文韬 吴振川 徐宽茂 蒋凯旋 
由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频...
关键词：功率分配器 集成无源器件(IPD) 1/4λ传输线 等效电路 小尺寸 
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