LDD结构

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薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究
《集成电路通讯》2004年第1期7-10,20,共5页徐春叶 刘善喜 
对1.2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究,硅膜厚度为 80nm。器件采用LDD结构,以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应;对沟道掺杂能量和剂量进行了摸索,确保一定的开启电压和器件的全耗尽;为了减小"鸟嘴"...
关键词：LDD结构 薄膜全耗尽SOI CMOS 热载流子效应 溅Ti硅化物 PBL隔离 短沟道效应 
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