MCT

作品数：323被引量：770H指数：10
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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
《半导体技术》2023年第6期476-481,487,共7页刘中梦雪 黄伟 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 导通压降 正向阻断电压 p基区 静态特性 
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化被引量：2
《半导体技术》2018年第4期274-279,320,共7页胡飞 宋李梅 韩郑生 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
关键词：MOS控制晶闸管(MCT) 电流上升速率(di/dt) 脉冲功率开关 开启瞬态 上升时间 
美国MCT的生产以及未来的发展计划
《半导体技术》1995年第3期11-13,17,共4页冯玉春 
在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家──Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了Ｍ...
关键词：研制 生产 发展 计划 MOS类功率器件 
7A　500V　MCT芯片的研制
《半导体技术》1994年第5期31-32,41,共3页冯玉春 罗晋生 
采用外延片作衬底研制出耐压５００Ｖ，关断电流为７Ａ的ＭＯＳ控制晶闸管（ＭＣＴ）芯片。ＭＣＴ芯片是由５０７５个单胞并联而成，它具有ＭＯＳＦＥＴ门极开通、关断功能。
关键词：MOS 控制晶闸管 MCT 芯片 
新型功率器件MCT的研究被引量：1
《半导体技术》1994年第1期5-8,共4页唐国洪 陈德英 周健 
探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２伏的栅...
关键词：MCT 晶闸管 功率器件 参数设计 
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