云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MOSFET-C

MOSFET-C: 作品数：23被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：刘崇新郑书铭刘昕陈莉邱关源更多>>; 相关机构：西安交通大学清华大学湖南大学南京邮电学院更多>>; 相关期刊：《Journal of Electronic Research and Application》《微电子学》《西北师范大学学报（自然科学版）》《福州大学学报（自然科学版）》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金西安交通大学科研基金湖南省教育厅科研基金更多>>

A Study on the Design Method of Hybrid MOSFET-CNTFET Based SRAM-A Secondary Publication: 《Journal of Electronic Research and Application》2024年第1期106-112,共7页Geunho Cho; supported by Seokyeong University in 2022.The EDA tool was supported by the IC Design Education Center(IDEC),Korea.; More than 10,000 carbon nanotube field-effect transistors(CNTFETs)have been successfully integrated into one semiconductor chip using conventional semiconductor design procedures and manufacturing processes.These tran...; 关键词：MOSFET CNTFET SRAM HYBRID Carbon nanotube

An asymmetric MOSFET-C band-pass filter with on-chip charge pump auto-tuning: 《Journal of Semiconductors》2009年第8期127-131,共5页陈方略林敏马何平贾海珑石寅代伐; An asymmetric MOSFET-C band-pass filter （BPF） with on chip charge pump auto-tuning is presented. It is implemented in UMC （United Manufacturing Corporation） 0.18 μm CMOS process technology. The filter system with...; 关键词：MOSFET-C filter auto tuning charge pump CMOS circuit design wireless system

基于R-MOSFET-C的低通滤波器的设计被引量：2: 《吉首大学学报（自然科学版）》2007年第5期70-72,共3页刘昕黎福海李和平; 国家自然科学基金资助项目(10647132);湖南省教育厅科学研究项目(05C141); 利用R-MOSFET-C器件和CMOS全平衡结构运算放大器设计一个截止频率为500 kHz的四阶巴特沃斯(Butter-worth)低通滤波器,该滤波器由工作在线性区的MOS管来做为压控电阻,从而代替一般有源RC滤波器中无源电阻R,通过调节栅极电压大小来改变其...; 关键词：R-MOSFET-C滤波器 Butterworth低通滤波器 PSPICE仿真

Realization of Fully Differential Fourth-Order Bessel Filter with Accurate Group Delay被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期927-932,共6页江金光何怡刚吴杰; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :50 2 770 10 )~~; A fully differential R-MOSFET-C fourth-order Bessel active lowpass filter employing fully differential operational amplifier,passive resistors,and current-steering MOS transistors as a variable resistor is proposed.T...; 关键词：fully differential voltage and curr ent common-mode negative feedback frequency tunable R-MOSFET-C filter Bessel filter

音频低通MOSFET-C连续时间滤波器设计: 《微电子学》1999年第1期54-57,共4页李卫国沈延钊; 介绍了一种用２μｍＮ阱双层多晶硅ＣＭＯＳ工艺实现的音频低通ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器，该滤波器实现了带内波动为０．１ｄＢ，通带截止频率３．４ｋＨｚ（可调）的传输函数特性。设计了一个具有精确输出平衡电平控制的平衡结...; 关键词：模拟滤波器 MOSFET 连续时间滤波器设计

基于运放的全集成 MOSFET-C 电流模式滤波器的实现及仿真被引量：3: 《西安交通大学学报》1998年第5期105-107,110,共4页刘崇新; 西安交通大学科研基金; 提出了基于运算放大器的电流模式ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ全集成精确连续时间平衡结构四阶低通滤波器电路，并应用ＰＳＰＩＣＥ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论．; 关键词：电流模式平衡结构有源滤波器

MOSFET-C电流模式四阶带通滤波器的CCⅡ±实现及分析: 《微电子学与计算机》1998年第3期46-48,共3页刘崇新; 国家自然科学基金; 本文提出了以电流传输器CCⅡ±为基本电路元件的电流模式全集成MOSFET－C精确连续时间四阶带通滤波器电路，并应用PSPICE－Ⅱ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论。; 关键词：带通滤波器 HOSFET-C 电流模式 CCⅡ±

一种新型的ω_n和Q可编程MOSFET-C二阶滤波器: 《半导体情报》1997年第5期39-42,共4页曾丽美王艳玲; 介绍一种新型的ωｎ和Ｑ可编程ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ二阶滤波器的新技术。滤波器中的电阻全部用ＭＯＳＦＥＴ代替，构成压控电阻，对滤波器的中心频率ωｎ可通过改变栅极直流控制电压来调节，并且在滤波器的反馈路径中引入非线性电路，使滤...; 关键词：可编程滤波器 MOSFET-C 二阶滤波器

基于CF的全集成MOSFET—C六阶低通滤波器的仿真分析: 《微电子学与计算机》1996年第6期9-11,共3页刘崇新; 本文提出了以电流跟随器ＣＦ为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ—Ｃ精确连续时间六阶低通滤波器电路，并应用ＰＳＰＩＣＥ—Ⅱ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论。; 关键词：低通滤波器仿真分析 MOSFET-C 电流跟随器

基于电流传输器MOSFET－C连续时间滤波器的状态空间综合: 《通信学报》1996年第4期21-26,共6页陈莉陆家榆刘润生; 国家自然科学基金; 本文提出了以第二代电流传输器（ＣＣＩＩ）为基块的电压有损积分器，导出了具有低灵敏度性质的状态空间矩阵集的一般形式以及该矩阵元素与电压传递函数系数间的关系。据此，可直接综合出与ＬＣ梯形结构信号流图完全一致的ＣＣＩＩＭＯ...; 关键词：电流传输器连续时间滤波器滤波器

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