补偿特性

作品数：100被引量：625H指数：13
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深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1140-1143,共4页蔡志军 巴维真 陈朝阳 崔志明 丛秀云 
中国科学院"西部之光"资助项目~~
为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂...
关键词：深能级杂质 费米能级 多数载流子 补偿度 
Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第1期52-56,共5页于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目 !( No.6 9876 2 6 0 )&&
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变...
关键词：应变补偿 半导体材料 SIGEC 三元化合物 
半导体光放大器相位补偿特性的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第9期649-654,共6页金韬 黄德修 丘军林 
国家教委博士点基金
本文详细分析了饱和工作状态下的行波半导体光放大器（ＴＷ－ＳＯＡ）的啁啾特性，从理论上证实了利用其增益饱和所引起的自相位调制来对光源啁啾进行相位补偿的可行性，并且发现，对于不同脉宽的入射脉冲，光放大器均能发挥相位补偿的...
关键词：半导体光放大器 光放大器 相位补偿 
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