掺氧多晶硅

作品数：6被引量：6H指数：2
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用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》1989年第7期534-537,共4页王云珍 潘尧令 
本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8％到38％)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸...
关键词：喇曼光谱 掺氧多晶硅 结构 粒度 
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