掺杂剂

作品数：229被引量：461H指数：10
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有机电子渐热,有机CMOS晶体管问世
《半导体信息》2008年第6期23-23,共1页刘广荣 
关键词：掺杂剂 有机材料 场效应管 应用领域 半导体层 德累斯顿 掺杂技术 抗噪性 照明领域 漏极 
在Si衬底上生长高品质GaN膜
《半导体信息》2003年第3期28-28,共1页陈裕权 
Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了Ga...
关键词：GAN 氮化铪 淀积 BERKELEY 光学质量 工艺参数 中间层 缓冲层 单片集成 掺杂剂 
6英寸级3C-SiC衬底的开发
《半导体信息》2003年第1期20-20,共1页孙再吉 
日本 HOYA 先进半导体技术公司采用 CVD 法成功地开发了6英寸级立方晶(3C)的 SiC 衬底。作为下一代的半导体衬底,SiC 材料越来越受到人们的关注。其优点是禁带宽、功率损耗低,饱和电子速度和热传导率要远远优于 Si 材料。尤其适用于功...
关键词：SiC 逻辑器件 半导体技术 功率损耗 热传导率 立方晶 异质外延 电子迁移率 掺杂剂 晶格缺陷 
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