超薄氧化层

作品数：8被引量：1H指数：1
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镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象
《Journal of Semiconductors》2003年第1期29-33,共5页石建军 吴良才 鲍云 刘嘉瑜 马忠元 戴敏 黄信凡 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 710 19;90 10 10 2 0 ) ;国家重点基础研究 (批准号 :2 0 0 1CB610 5 0 3 ) ;江苏省高科技研究 (No.BG2 0 0 10 0 2 )资助项目~~
采用等离子体氧化和逐层 (layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了 Si O2 /nc- Si/Si O2 的双势垒纳米结构 ,从 nc- Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰 ,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为...
关键词：SIO2 库仑阻塞 二氧化碳 纳米硅 超薄氧化层 隧穿 
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