超低介电常数

作品数：26被引量：45H指数：4
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相关作者：苏和平唐莹李纯纯方亮段炼更多>>
相关机构：桂林理工大学上海华力微电子有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三峡大学更多>>
相关期刊：《绝缘材料》《新材料产业》《半导体技术》《硅酸盐学报》更多>>
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面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光被引量：3
《机械工程学报》2017年第7期46-46,共1页江亮 雒建斌 
随着超大规模集成电路的发展，特征尺寸由目前的22nm逐渐减小至14nm。为了克服由此引发的的一系列问题，铜互连结构发生了巨大变化，包括使用钌替代钽／氮化钽作为阻挡层，使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互...
关键词：超大规模集成电路 化学机械抛光 特征尺寸 制程 纳米 超低介电常数 互连结构 二氧化硅 
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