超辐射发光管

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究
《半导体技术》2009年第6期543-545,共3页唐道远 李晓良 
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42...
关键词：应变补偿多量子阱 超辐射发光管 台面 湿法腐蚀 感应耦合等离子体 
长波长1．3μm超辐射发光管的制备
《半导体技术》1996年第6期25-28,共4页鲍海飞 石家纬 刘明大 金恩顺 李淑文 
对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。
关键词：超辐射发光管 减反射膜 剩余反射率 
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