超晶格半导体

作品数：20被引量：13H指数：2
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：黄美纯柯三黄王仁智张耀辉张文栋更多>>
相关机构：中国科学院复旦大学厦门大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊：《兵工学报》《中国科学基金》《红外》《红外与毫米波学报》更多>>
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用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构被引量：2
《半导体技术》2006年第2期105-107,共3页杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋 
国家自然基金项目(50375050;50405025)
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料...
关键词：分子束外延 超晶格半导体 X射线双晶衍射 
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