超浅结

作品数:24被引量:13H指数:2
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相关机构:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所上海华力微电子有限公司清华大学更多>>
相关期刊:《质谱学报》《微电子学》《中国集成电路》《电子科技文摘》更多>>
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深亚微米IC超浅结的SIMS表征
《质谱学报》2005年第z1期13-14,共2页瞿欣 王家楫 
Secondary ion mass spectrometry (SIMS) is a standard technique for characterization of dopant distribution in semiconductor industry. In the ultra-shallow junction (USJ) application, the interested depth scale was ext...
关键词:SIMS ULTRA-SHALLOW JUNCTION LOW-ENERGY ion IMPLANT 
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