超深亚微米器件

作品数:4被引量:11H指数:2
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相关机构:北京大学西安电子科技大学西北核技术研究所中国科学院大学更多>>
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超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
《电子质量》2005年第12期39-42,共4页侯志刚 许新新 张宪敏 于英霞 李惠军 
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的...
关键词:超大规模集成电路 特征尺寸 超深亚微米 小尺寸效应 失效 可靠性 
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