衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
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nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
《微电子学》2013年第1期103-106,共4页陈海峰 过立新 
陕西省教育厅专项科研基金资助项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金资助项目(XA-AM-201012)
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
关键词：衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 衬底偏压 
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