磁性半导体

作品数：105被引量：76H指数：3
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电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布被引量：2
《科学通报》2002年第17期1299-1301,共3页张秀兰 张富强 宋书林 陈诺夫 王占国 胡文瑞 林兰英 
本工作为科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34);国家重大基础研究计划(批准号:G20000683;G20000365);国家自然科学基金(批准号:60176001)资助项目.
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。
关键词：电化学C-V法 GaMnSb/GaSb单晶 载流子浓度 纵向分布 磁性半导体 稀磁半导体 闪锌矿结构 
离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
《稀有金属》2001年第4期289-293,共5页杨君玲 陈诺夫 刘志凯 杨少延 柴春林 廖梅勇 何宏家 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 683 );攀登项目PAN95 YU -3 4的资助项目
利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 ...
关键词：质量分析 低能离子束 离子束外延生长 半导体材料 磁性半导体 
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