张严波

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：神经元电路硅纳米线树突纳米线硅衬底更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《电子器件》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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硅基太阳电池的表面纳米织构及制备被引量：1
《微纳电子技术》2012年第6期388-395,共8页陈燕坤 韩伟华 张严波 徐锐 王晓东 李小明 杨富华 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104)
综述了用于硅基太阳电池高效陷光的四种表面纳米织构,即金属纳米颗粒、纳米线、纳米锥和纳米孔。相对于其他三种表面纳米织构,纳米孔具有更好的结构特性和陷光能力。详细介绍了各种表面纳米织构的制备方法,如金属薄膜退火、金属诱导化...
关键词：硅基太阳电池 金属纳米颗粒 纳米线 纳米锥 纳米孔 
纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期689-696,共8页李小明 韩伟华 张严波 陈燕坤 杨富华 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104)
介绍了在进入22nm技术节点后MOSFET器件的两个发展方向,即多栅结构和应变硅纳米线结构。首先通过分析特征长度与有效栅极数量的关系,表明多栅结构器件可以有效增强栅极对沟道的控制,抑制短沟道效应,接近理想的亚阈值斜率;然后分析了应...
关键词：场效应晶体管 多栅结构 应变 硅纳米线 围栅 
增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4
《半导体技术》2011年第10期771-777,共7页杜彦东 韩伟华 颜伟 张严波 熊莹 张仁平 杨富华 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104)
随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 增强型 阈值电压 氮化铝镓 
一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现被引量：3
《电子器件》2011年第3期286-291,共6页熊莹 韩伟华 张严波 杨富华 
国家863计划项目(2007AA03Z303);国家973计划课题(2010CB934104)
从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且...
关键词：脉冲编码 神经元 HSPICE 频率可调 
Si纳米线场效应晶体管研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2009年第11期641-648,663,共9页张严波 熊莹 杨香 韩伟华 杨富华 
国家863计划资助项目(2007AA03Z303);国家自然科学基金资助项目(60506017;60776059);国家高技术研究发展计划资助项目(2007AA03Z303)
从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和...
关键词：纳米线 场效应晶体管 短沟道效应 围栅 自限制氧化 
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