秦华

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：硅量子点减薄介质层单电子晶体管微加工更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第2期103-107,共5页秦华 陈坤基 黄信凡 李伟 
采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变...
关键词：纳米硅薄膜 三极管型 TRIODE PECVD 
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