马泽宇

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文主题：异质结氧化锌温度特性势垒MOCVD更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《功能材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
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硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第2期196-199,共4页刘磁辉 姚然 苏剑锋 马泽宇 付竹西 
国家自然科学基金(批准号:50472009;10474091);中国科学院知识创新工程(批准号:KJCX2-SW-04-02)资助项目~~
报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到...
关键词：MOCVD ZnO/p-Si 异质结 缺陷 
ZnO/P-Si接触及其温度特性被引量：3
《功能材料》2006年第6期857-860,共4页刘磁辉 刘秉策 马泽宇 段理 付竹西 
国家自然科学基金资助项目(50472009;10474091);中国科学院知识创新方向性课题资助项目(KJCXZ-SW-04-02)
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低...
关键词：氧化锌 异质结 势垒 温度特性 
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