伍青青

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：晶体管浮体效应SOI芯片面积欧姆接触更多>>
发文领域：电子电信医药卫生更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子器件》更多>>
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BJT等效电路模型的发展被引量：4
《电子器件》2010年第3期308-316,共9页罗杰馨 陈静 伍青青 肖德元 王曦 
“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家重大专项子课题“0.13μm SOI工艺仿真及器件建模”资助(2009ZX02306-002)
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主...
关键词：等效电路模型 BJT BJT模型 HICUM模型 电荷控制理论 
MOSFET集约模型的发展被引量：2
《固体电子学研究与进展》2010年第2期192-198,共7页伍青青 陈静 罗杰馨 肖德元 王曦 
MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以及不断满足电路设计新要求,MOSFET集约模型经历了长时间的发展。从模型的基础出发,介绍了基于阈值电压Vt...
关键词：场效应晶体管 集约模型 BSIM模型 HiSIM模型 PSP模型 
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