张秀娟

作品数：4被引量：15H指数：2
导出分析报告
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系金属材料研究所更多>>
发文主题：FES晶体取向晶体生长薄膜厚度表面能更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料研究学报》《材料导报》《Journal of Semiconductors》《浙江大学学报（工学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硫化过程中FeS_2薄膜组织结构和电学性能的变化被引量：2
《浙江大学学报（工学版）》2004年第10期1239-1243,共5页张秀娟 孟亮 刘艳辉 
国家自然科学基金资助项目(50071056).
采用Fe膜热硫化法在673K和773K温度下形成了FeS2多晶薄膜.分析了不同硫化时间对晶体结构、化学成分、晶粒大小、电阻率和载流子浓度的影响.673K下硫化超过20h及773K温度下硫化超过1h,Fe膜生成FeS2比较充分.随硫化时间延长,673K下硫化的...
关键词：FeS2 薄膜 结构 电阻率 载流子浓度 
FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期657-661,共5页张秀娟 孟亮 刘艳辉 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 710 5 6)~~
在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法 ,制备了不同厚度的FeS2 薄膜 ,测定了晶体结构及光学性能 .结果表明 ,薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化 .随着薄膜厚度增加到 330nm ,晶粒尺寸增加而晶格常数减小 ;...
关键词：FeS2 薄膜 晶体结构 光学性能 
薄膜生长基底对FeS_2晶体取向的影响被引量：9
《材料研究学报》2004年第4期373-379,共7页刘艳辉 孟亮 张秀娟 
国家自然科学基金50071056资助项目
用Fe膜硫化法制备FeS2薄膜,分析了基底对FeS2薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制FeS2薄膜的晶体位向分布.FeS2薄膜在Si(100)、Si(111)和Al基底上可获得(200)方向的择优取向,在TiO2基底上可...
关键词：无机非金属材料 FES2薄膜 Fe膜硫化法 晶体取向 表面能 界面应变能 
多晶体薄膜生长中的织构诱导与控制被引量：2
《材料导报》2002年第10期28-30,共3页刘艳辉 张秀娟 孟亮 
国家自然科学基金(批准号:50071056)
综述了多晶体薄膜材料织构的诱导和控制方法、影响薄膜结晶过程中晶体取向的因素及不同生长条件下形成晶体择优取向的原因。讨论了目前多晶体薄膜织构控制研究中存在的问题和发展方向。
关键词：薄膜生长 织构 诱导 控制 晶体生长 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部