程宽

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文主题：EDRAM动态随机存储器电压调整电压嵌入式DRAM更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《复旦学报（自然科学版）》更多>>
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eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案被引量：2
《复旦学报（自然科学版）》2012年第1期21-26,共6页董存霖 孟超 程宽 林殷茵 
由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案...
关键词：嵌入式DRAM 增益单元 自适应动态刷新 写电压调整 低功耗 
eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
《复旦学报（自然科学版）》2012年第1期33-42,共10页程宽 马亚楠 孟超 董存霖 林殷茵 
提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷...
关键词：动态随机存储器 逻辑工艺 高速读写 紧凑式电荷转移刷新 
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