苗启林

作品数：2被引量：5H指数：2
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供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：CUSI硅薄膜退火温度晶化过程更多>>
发文领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《功能材料》《金属热处理》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响被引量：3
《金属热处理》2010年第6期33-36,共4页蒋百灵 李洪涛 蔡敏利 苗启林 杨波 
陕西省教育厅科学技术研究计划(09JK623);西安理工大学优秀博士学位论文研究基金(101-210905)
基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明,Al诱导Si薄膜晶化的效果最好,Cu次之...
关键词：硅薄膜 退火 晶化过程 扩散 
本底真空度对磁控溅射Cr/C镀层微观形貌及结合强度的影响被引量：2
《功能材料》2010年第3期523-526,共4页李洪涛 蒋百灵 陈迪春 曹政 蔡敏利 苗启林 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2005AA33H010)
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与结合强度的变化。结果表明,随本底真空度的降低,Cr/C镀层中物理混合界面层和Cr金属打底层的厚度显著减小;...
关键词：本底真空度 物理混合界面层 Cr金属打底层 结合强度 
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