云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 蔡道民

蔡道民: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：河北半导体研究所更多>>; 发文主题：HIGH_ELECTRON_MOBILITY_TRANSISTORSHEMTALGAN/GANAIGAN/GANSAPPHIRE更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphires with f_(max) of 100GHz: 《Journal of Semiconductors》2005年第11期2049-2052,共4页李献杰曾庆明周州刘玉贵乔树允蔡道民赵永林蔡树军; 国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030201);国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~; AIGaN/GaN high electron mobility transistors grown on sapphire substrates with a 0.3μm gate length and 100μm gate width are fabricated. The device reveals a drain current saturation density of 0.85A/mm at a gate vol...; 关键词：AIGAN/GAN HEMT SAPPHIRE