周茂峰

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发文主题:氧化锌薄膜锌源金属有机物化学气相淀积OMOCVD系统更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
《半导体技术》2008年第S1期349-352,共4页周茂峰 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目2006CB921803);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有...
关键词:氧化锌薄膜 金属有机物化学气相淀积 氧气流量 锌源 
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