沈凯

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ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应
《苏州大学学报（自然科学版）》1999年第4期57-60,共4页唐敏学 沈凯 
本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃...
关键词：ZNCDSE 单量子阱 非辐射载子复合 点缺陷 半导体 
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