云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ZNCDSE

ZNCDSE: 作品数：15被引量：4H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：单崇新申德振范希武刘益春张吉英更多>>; 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所河南大学哈尔滨工业大学复旦大学更多>>; 相关期刊：《Optoelectronics Letters》《Chinese Physics Letters》《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》《电子材料快报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>

应变与ZnSe/ZnCdSe双势垒对电子隧穿的压力影响研究: 《现代商贸工业》2019年第12期192-193,共2页钱岙轲; 运用求解任意势中波函数与转移矩阵相结合的方法,计算得到流体静压下应变ZnCdSe/ZnSe双势垒电子隧穿的共振能级、波函数和透射系数。考虑晶格常数、有效质量及体弹性模量等参量的压力效应对电子隧穿的影响。数值结果显示,与无静压比较,...; 关键词：电子隧穿静压双势垒透射系数电子波函数

分子束外延生长亚稳态ZnCdSe/MgSe低维量子阱结构及其光学性质: 《发光学报》2013年第7期811-815,共5页李炳生 SHEN Ai-dong; 采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构。在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样...; 关键词：分子束外延 Ⅱ-Ⅵ族量子阱闪锌矿MgSe 能带带阶

Peculiarities of ZnCdSe Nanolayers by Chemical Deposition: 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》2013年第5期402-408,共7页M. A. Jafarov E. F. Nasirov; In this work, the results on the investigation of the precularity near the solar spectrum region, of Zn1.xCdxSe nanofilms, nanoscale heterojunction prepared on silikon and alumminium substrates by precipitation from a...; 关键词：Chemical bath deposition nanoparticle NANOFILMS nanoscale junction micro emulsion system PHOTOCONDUCTIVITY solarcells.

Temperature-Dependent Photoluminescence in Coupling Structures of CdSe Quantum Dots and a ZnCdSe Quantum Well: 《Chinese Physics Letters》2005年第6期1518-1521,共4页金华张立功郑著宏安立楠吕有明张吉英范希武申德振

Temperature dependence of excitonic transition in ZnSe/ZnCdSe quantum wells: 《Optoelectronics Letters》2005年第3期164-167,共4页GUO Zi-zheng LIANG Xi-xia BAN Shi-liang; Foundationitem:Project supported by the National Natural Sci-ence Foundation of China(60166002); A theoretical calculation for the temperature dependence of the excitonic transition in ZnSe/ZnOdSe quantum wells is performed. The exciton binding energy is calculated with a variational technique by considering the ...; 关键词：半导体技术温度控制激光器件激子转换

ZnCdSe量子点的激子行为研究被引量：3: 《发光学报》2003年第4期390-394,共5页单崇新范希武张吉英张振中王晓华吕有明刘益春申德振孔祥贵吕少哲; 国家自然科学基金(60278031);中科院知识创新工程;中科院百人计划和国家"863"计划资助项目; 用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在晶格失配较小的情况下制备了ZnCdSe量子点,并用原子力显微镜(AFM)和极低温度下的发光光谱确认了量子点的形成。原子力显微镜观测的形貌变化发现,随着生长后时间的增加,量子点的尺寸逐渐增大,而密...; 关键词：ZNCDSE 量子点激子金属有机化学气相沉积半导体硒镉锌化合物发光光谱熟化

Optical Properties of ZnCdSe／ZnMgSe Multiple Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy: 《Chinese Physics Letters》2002年第8期1152-1154,共3页吕有明申德振等

ZnCdSe单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合激活的点缺陷反应: 《苏州大学学报（自然科学版）》1999年第4期57-60,共4页唐敏学沈凯; 本文对ＺｎＣｄＳｅ单量子阱中点缺陷附近由非辐射载子复合而激活的点缺陷反应作了研究．样品在不同温度下对荧光光谱随时间变化的测量表明，这种反应增强了辐射量子效率．实验结果与温度相关的点缺陷状态跃迁率模型相吻合，并得到该跃...; 关键词：ZNCDSE 单量子阱非辐射载子复合点缺陷半导体

InP上MgSe／ZnCdSe材料生长与特性: 《电子材料快报》1998年第9期6-7,共2页晓晔; 关键词：INP MgSe/ZnCaSe 化合物半导体 Ⅱ-Ⅵ族

新型Zn1—yCdySe／InxGa1—xAs（001）异质结构: 《电子材料快报》1998年第9期9-10,共2页晓晔; 关键词：化合物半导体 ZNCDSE INGAAS 异质结构 Ⅱ-Ⅵ族

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