董建荣

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文主题：MOS结构MOS集成电路热载流子注入载流子注入更多>>
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热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》1994年第2期142-146,共5页赵策洲 董建荣 张德胜 史保华 
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ...
关键词：载流子注入 集成电路 结构 MOS 
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