刘大猛

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：北京大学更多>>
发文主题：异质结氧化物薄膜氧化物半导体SRTION型掺杂更多>>
发文领域：理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《低温物理学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
n型掺杂半导体In/Nb-SrTiO_3金属异质结变温J～V特性的研究
《低温物理学报》2004年第4期358-363,共6页刘大猛 连贵君 熊光成 
利用Nb替代Ti的导电Nb SrTiO3(Nb STO)衬底我们制备得到了Nb STO/金属异质结并测量了异质结的J～V曲线 .氧化物半导体Nb STO/金属异质结的J～V曲线显示出与由Schottky势垒模型描述的理想半导体 /金属二极管有很多不同 .利用对数据拟合...
关键词：异质结 氧化物半导体 衬底 二极管 掺杂 势垒 器件 理想 对数 数据拟合 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部