云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李晶

李晶: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文主题：链接社团社交网络大规模网络初始化更多>>; 发文领域：自动化与计算机技术电子电信理学语言文字更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

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超深亚微米PMOSFET的自愈合效应: 《物理学报》2006年第5期2508-2512,共5页李晶刘红侠郝跃; 国家自然科学基金(批准号:60206006);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070);教育部重点科技研究项目(批准号:104172)资助的课题~~; 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.; 关键词：负偏置温度不稳定性效应自愈合效应应力时间 PMOSFET