杨新荣

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
发文主题：半绝缘砷化镓位错中碳碳中位更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《物理学报》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
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半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究被引量：4
《物理学报》2005年第4期1904-1908,共5页徐岳生 杨新荣 王海云 唐蕾 刘彩池 魏欣 覃道志 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);国防预研基金 (批准号 :0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助的课题~~
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究 .实验结果表明 ...
关键词：半绝缘砷化镓 胞状位错 碳受主 微区分布 晶体生长 
半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布
《稀有金属》2004年第3期544-546,共3页徐岳生 杨新荣 郭华锋 唐蕾 刘彩池 王海云 魏欣 
国家自然科学基金 ( 60 2 760 0 9) ;中国人民解放军总装备部 ( 0 0JS0 2 .2 .1QT45 0 1) ;河北省自然科学基金 ( 5 990 3 3 )资助项目
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错...
关键词：SI-GAAS 位错 碳含量 能谱分析 
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