曾绍海

作品数：2被引量：5H指数：1
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发文主题：淀积刻蚀衬底侧墙超大规模集成电路更多>>
发文领域：电子电信文化科学交通运输工程自动化与计算机技术更多>>
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55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究被引量：5
《复旦学报（自然科学版）》2018年第4期504-508,516,共6页曾绍海 林宏 陈张发 李铭 
本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互...
关键词：电镀液 添加剂 双大马士革 55nm技术代 铜互连 
一种单大马士革结构超厚铜集成电感
《集成电路应用》2018年第4期51-54,共4页曾绍海 陈张发 李铭 
国家重大专项课题(2011ZX02702_004)
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺,采用与CMOS完全兼容的铜互连单大马士革工艺制作了超厚金属铜集成电感。该超厚金属铜电感在1~3 GHz频率范围内的电感值均匀,在2.5 GHz频率下的Q值达到11。...
关键词：集成电路制造 工艺开发 单大马士革 铜电感 品质因子Q 
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