薛耀国

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供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文主题：硅功耗电流绝缘层静态随机存储器总剂量效应更多>>
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部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
《物理学报》2012年第10期323-329,共7页李明 余学峰 薛耀国 卢健 崔江维 高博 
通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在^(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数...
关键词：部分耗尽绝缘层附着硅 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 
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