云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 邓娜

邓娜: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：GAN光发射铟镓氮深能级瞬态谱深能级更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

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GaN基光发射二极管中深能级研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2002年第4期371-374,共4页毕朝霞张荣邓娜顾书林沈波施毅郑有炓; 国家重点基础研究规划项目 (G2 0 0 0 0 683 );国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411);国家自然科学基金 (699760 14 ;6963 60 10 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家高技术研究计划资助; 利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ...; 关键词：深能级瞬态谱光发射二级管铟镓氮