云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 马凌云

马凌云: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：北京工业大学更多>>; 发文主题：MOCVD生长MOCVDGAALZNO更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《物理学报》更多>>; 所获基金：北京市教委资助项目更多>>

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(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)P材料的MOCVD生长温度窗口研究: 《物理学报》2013年第2期502-506,共5页孙沛李建军邓军韩军马凌云刘涛; 北京市教委项目(批准号:PXM201101420409000065)资助的课题~~; 用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low press-metalorganic chemical vapor deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键,找到合适的...; 关键词：A1GaInR温度 MOCVD