云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 吴笛

吴笛: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：安徽大学更多>>; 发文主题：SUB比电容MNO催化剂一步反应更多>>; 发文领域：理学经济管理电子电信化学工程更多>>; 发文期刊：《中国科学：信息科学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模: 《中国科学：信息科学》2019年第3期342-360,共19页万璐绪杨建国柯导明吴笛杨菲陈甜; 国家自然科学基金(批准号:61376098;61076086)资助项目; 文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-...; 关键词：高k+SiO2栅 FD-SOI MOSFET 阈值电压 DIBL效应二维模型